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商品详情
| 产品参数 | |||
|---|---|---|---|
| 品牌 | ST | ||
| 封装 | TO-220 | ||
| 批号 | 两年内 | ||
| 数量 | 5000 | ||
| 制造商 | STMicroelectronics | ||
| 产品种类 | MOSFET | ||
| RoHS | 是 | ||
| 安装风格 | Through Hole | ||
| 封装 \/ 箱体 | TO-220-3 | ||
| 通道数量 | 1 Channel | ||
| 晶体管极性 | N-Channel | ||
| Vds-漏源极击穿电压 | 600 V | ||
| Id-连续漏极电流 | 20 A | ||
| Rds On-漏源导通电阻 | 290 mOhms | ||
| Vgs - 栅极-源极电压 | 30 V | ||
| 最小工作温度 | - 65 C | ||
| 最大工作温度 | 150 C | ||
| Pd-功率耗散 | 192 W | ||
| 配置 | Single | ||
| 通道模式 | Enhancement | ||
| 高度 | 9.15 mm | ||
| 长度 | 10.4 mm | ||
| 系列 | STP20NM60 | ||
| 晶体管类型 | 1 N-Channel | ||
| 宽度 | 4.6 mm | ||
| 下降时间 | 11 ns | ||
| 上升时间 | 20 ns | ||
| 典型关闭延迟时间 | 42 ns | ||
| 典型接通延迟时间 | 25 ns | ||
| 单位重量 | 1.438 g | ||
| 可售卖地 | 全国 | ||
| 型号 | STP20NM60 | ||
