cvd化学气相沉积实验炉

cvd化学气相沉积实验炉：多通道气路系统和真空系统组成，可根据用户需要设计生产（有双温区、三温区、多温区），可预抽真空（有高真空、低真空），通多种气氛（供气系统有质子流量控制器和浮子流量控制器）。真空泵、阀均采用进口设备，性能可靠。控制电路选用模糊PID程控技术，具有控温精度高，温冲幅度小，性能可靠，简单易操作等特点。CVD生长系统适用于CVD工艺，如碳化硅镀膜、陶瓷基片导电率测试、ZnO纳米结构的可控生长、陶瓷电容（MLCC）气氛烧结等实验。

cvd化学气相沉积实验炉技术参数：

真空管式炉：

炉管尺寸：外径Φ50、Φ60、Φ80、Φ100×1000mm

极限温度：1200 ℃ 工作温度：≤1150 ℃

温度控制器：PID自动控制晶闸管（可控硅）输出功率，30段可编程控制器

最快升&降温速率：20℃/min

加热区：400mm恒温区：200mm

控温精度：±1 ℃电源：单相220V，交流50Hz

多通道流量计控制系统：

标准量程：100，200，200，500SCCM（以氮气标定，除以上标准外量程可选）

准确度：±1.5%工作压差范围：0.1～0.5 MPa最大压力：3MPa接头类型：Φ6双卡套不锈钢接头

高真空真空泵组：

干湿：完全无油的干式高真空真空泵组

分子泵抽速61L/s  

工作电流：220V

进气口DN63  ISO-K

极限总压5.0×10-4Pa    10-6mabr