离子注入  离子注入是亚微米工艺中最常见的掺杂方法。将要掺入的杂质harmonic硅片清洗谐波SHD-14-50-2SH ，如砷 (As)、磷（P）、硼（B）注入离子注入机，经过电离，再由高电压或磁场控制并加速，harmonic硅片清洗谐波SHD-14-50-2SH高能杂质离子穿透涂胶硅片的表面，最后进行去胶和清洗硅片完成离子注入。

    （5）薄膜生长  薄膜生长工艺用来加工出半导体中的介质层、金属层。薄膜工艺包括化学气相淀积（CVD）和金属溅射（物理气相淀积，PVD）。薄膜产生后需要使用快速退火装置（RPT）修复离子注入引入的衬harmonic硅片清洗谐波SHD-14-50-2SH损伤，以及完成金属的合金化。最后使用湿法清洗设备进行硅片清洗。