光刻的目的是将电路图形转移到覆盖于硅片表面的光刻胶上日本HD离子传输谐波SHD-14-50-2SH。光刻胶是一种光敏的化学物质，它通过深紫外线（或极紫外线）曝光来印制掩模板的图像。涂胶和显影设备是用来完成光刻的一系列工具的组合。光刻过程包括预处理、涂胶、甩胶、烘干，然后用机械臂将涂胶的硅片送入光刻机。以步进式光刻机为例，日本HD离子传输谐波SHD-14-50-2SH在进行硅片和掩模板的对准、聚焦后，步进式光刻机先曝光硅片上的一小片面积，随后步进到硅片的下一区域并重复这一过程。

    （3）刻蚀  刻蚀是在没有光刻胶保护的地方留下永久的图形。日本HD离子传输谐波SHD-14-50-2SH刻蚀工艺一般使用等离子体刻蚀机、等离子体去胶机和湿法清洗设备。现在主要使用干法等离子体刻蚀工艺。