从上世纪80年代到本世纪初，光学曝光是主要的光刻方法，光学曝光使用深紫外光哈默纳科EUV技术谐波SHD-14-50-2SH 。从20世纪80年代初的3mm集成电路到2004年90nm的集成电路的发展，光学曝光光源使用汞灯，波长从G线（436nm）、I线（365nm），再到使用准分子激光光源，波长为248nm和193nm。哈默纳科EUV技术谐波SHD-14-50-2SH过去的十年中产业界利用大数值孔径和浸没式曝光技术，以及离轴照明技术(Off Axis illumination,OAI)、空间滤波技术、相位移掩模（Phase Shift Mask, PSM）、光学临近效应校正技术等光学曝光分辨率增强技术哈默纳科EUV技术谐波SHD-14-50-2SH ，使用193nm的深紫外光将集成电路最小尺寸做到了22nm。目前利用极紫外（EUV）光刻技术，