CMP通常称为化学机械抛光（chemical mechanical planarization，CMP）或抛光哈默纳科机械磨头谐波SHA32Y120CG-B12B2。化学机械平坦化是实现多层金属技术的主要平坦化技术，它通过硅片和一个抛光头之间的相对运动来平坦化硅片表面，在硅片表面和抛光头之间有磨料，并且施加一定压力。CMP设备工作原理，为平坦化加工原理图，哈默纳科机械磨头谐波SHA32Y120CG-B12B2）为带有多个磨头的CMP设备示意图。在抛光时一个磨头上装有一个硅片，在传送和抛光过程中，磨头依靠真空来吸附硅片。抛哈默纳科机械磨头谐波SHA32Y120CG-B12B2光时磨料由磨料喷嘴喷涂到抛光垫上，磨头和转盘的旋转运动实现了硅片的抛光。磨料与硅片的化学反应促进了抛光效果。