光刻包括两种基本的工艺类型：负性光刻和正性光刻。harmonic旋转伺服谐波SHG-25-120-2UJ负性光刻把与掩模版上图形相反的图形复制到硅片表面。正性光刻把与掩模版上相同的图形复制到硅片上。这两种基本工艺的主要区别在于所用光刻胶的种类不同。光刻工艺过程包括8个基本步骤：气相成底模、旋转涂胶、软烘、对准和曝光、曝光后烘培harmonic旋转伺服谐波SHG-25-120-2UJ、显影、坚膜烘培、显影检查。   

如图2.15所示，由硅片传送系统将光刻工艺的基本设备串接在一起组成自动硅片光刻工艺加工系统，实现硅片的自动化光刻加工。在光刻的基本工艺中对准和曝光是最为关键的工艺。对准和曝光通常在曝光harmonic旋转伺服谐波SHG-25-120-2UJ机（通常也被称作光刻机）上完成，