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光刻的本质是把临时电路结构复制到以后要进行刻蚀和离子注入的硅片上。哈默纳科光刻工艺谐波SHG-25-120-2UJ这些结构首先以图形形式制作在称为掩模版的石英膜版上，然后用紫外光透过掩模版把图形转移到硅片表面的光敏薄膜上哈默纳科光刻工艺谐波SHG-25-120-2UJ。芯片大批量生产工艺中的光刻以紫外光刻为主。掩模板制作也使用光刻工艺，但是，通常使用电子束、离子束进行曝光。图形转移中的光刻曝光技术在本书第4章将做详细介绍。
光刻显影后图形出现在硅片上，然后用一种化学刻蚀工艺把薄膜图形成像在哈默纳科光刻工艺谐波SHG-25-120-2UJ下面的硅片上，或者被送到离子注入工作区来完成硅片上图形区中可选择的掺杂
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