CVD工艺采用的设备为CVD反应炉，根据反应压力可分为常压或低压CVD炉。日本HDCV精密谐波CSF-17-80-2UH-LWCVD反应炉常用的有卧室反应炉和立式反应炉。图2.8所示为CVD卧式反应炉工作原日本HDCV精密谐波CSF-17-80-2UH-LW理示意图。为避免高温，可以采用其他的能量供应形式，例如，通过高能射频源获得的等离子体就是一种可选形式，称为等离子增强CVD (PECVD, Plasma Enhanced CVD)。

（2）外延工艺与设备

外延（Epitaxy）是在单晶衬底上、合适的条件下沿衬底原来的结晶轴向，日本HDCV精密谐波CSF-17-80-2UH-LW生长一层晶格结构完整的新的单晶层的制膜技术。新生单晶层按衬底晶相延伸生长，并称为外延层。长了外延层的衬底称为外延片。