薄膜生长  薄膜生长工艺用来加工出半导体中的介质层、金属层。哈默纳科化学机械谐波CSF-17-80-2UH-LW薄膜工艺包括化学气相淀积（CVD）和金属溅射（物理气相淀积，PVD）。哈默纳科化学机械谐波CSF-17-80-2UH-LW薄膜产生后需要使用快速退火装置（RPT）修复离子注入引入的衬底损伤，以及完成金属的合金化。最后使用湿法清洗设备进行硅片清洗。

（6）抛光  CMP（化学机械平坦化）工艺用于硅片表面的平坦化。CMP用化学腐蚀哈默纳科化学机械谐波CSF-17-80-2UH-LW

与机械研磨相结合，以去除硅片表面的凹凸不平。主要设备是抛光机，辅助设备包括刷片机、清洗装置和测量工具。