.光刻技术及设备的发展

从图2.25所示的光学曝光随集成电路最小尺寸的演变图我们可以看出，日本HD光学设备谐波SHD-40-100-2SH从上世纪80年代到本世纪初，光学曝光是主要的光刻方法，日本HD光学设备谐波SHD-40-100-2SH光学曝光使用深紫外光。从20世纪80年代初的3mm集成电路到2004年90nm的集成电路的发展，光学曝光光源使用汞灯，波长从G线（436nm）、I线（365nm），再到使用准分子激光光源，波长为248nm和193nm。过去的十年中产业界利用大数值孔径和浸没式曝光技术，以及离轴照明技术(Off Axis illumination,OAI)、空间滤波技术、日本HD光学设备谐波SHD-40-100-2SH相位移掩模（Phase Shift Mask, PSM）、光学临近效应校正技术等光学曝光分辨率增强技术，使用193nm的深紫外光将集成电路最小尺寸做到了22nm。