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商品详情
TDM3478 N-通道增强模式MOSFET芯片
概述
TDM3478使用先进的沟槽技术，提供优良的RDS（ON）和低栅极电荷。该设备适用于作为负载开关或在PWM应用程序中使用。
一般说明
?RDS（ON）< 9.7mΩ @ VGS=4.5V
RDS（ON）< 6mΩ @ VGS=10V
?高功率和电流处理能力
?ESD保护
?表面安装包
?无铅和绿色设备可用（RoHS兼容）
应用
?PWM应用程序
?负载交换机
?电源管理
?供电系统
概述
TDM3478使用先进的沟槽技术，提供优良的RDS（ON）和低栅极电荷。该设备适用于作为负载开关或在PWM应用程序中使用。
一般说明
?RDS（ON）< 9.7mΩ @ VGS=4.5V
RDS（ON）< 6mΩ @ VGS=10V
?高功率和电流处理能力
?ESD保护
?表面安装包
?无铅和绿色设备可用（RoHS兼容）
应用
?PWM应用程序
?负载交换机
?电源管理
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